机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的电流崩溃和栅极泄漏电流的机制
机译:超薄Al_2O_3 / Si_3N_4双层AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管中栅电流泄漏优异抑制效果的机理
机译:具有Al_2O_3 / Si_3N_4栅极绝缘体的沟道掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的高漏极电流密度和降低的栅极泄漏电流
机译:具有由金属 - 有机化学气相沉积形成的带A1O_X栅极绝缘体的低泄漏和降低的电流折叠Aigan / GaN异质结场效应晶体管
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:不同栅极长度对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射电势的影响
机译:用于抑制AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中栅极漏电流的AlGaN表面控制工艺
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制